Name: TK10A60W,S4VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK10A60W-S4VX
Availability: InStock
Rating: 5 (97 reviews)

TK10A60W,S4VX

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Numero di parte	TK10A60W,S4VX
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
Scheda dati
pacchetto	TO-220-3 Full Pack
ECAD
A magazzino	4.192 piece(s)
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Specifiche TK10A60W,S4VX

Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3 Full Pack
ECAD
Serie	DTMOSIV
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 300V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	Super Junction
Dissipazione di potenza (max)	30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 4.9A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220SIS
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack

TK10A60W,S4VX Packaging

TK10A60W,S4VX FAQ

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Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

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TK10A60WS4VX

D# TK10A60W,S4VX

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Trans MOSFET N 600V 9.7A 3-Pin TO-220SIS Tube - Rail/Tube (Alt: TK10A60W,S4VX)

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Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin TO-220SIS (Alt: TK10A60W,S4VX(M)

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MOSFET N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC

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203

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N-Channel MOSFET, 9.7 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK10A60W,S4VX(M, PK

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TK10A60WS4VX

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MOSFET 600V N-CH

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MOSFET N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC

pbFree: Pb-Free

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Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine

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