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TK100E10N1,S1X

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Numero di parte TK100E10N1,S1X
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Scheda dati
pacchetto TO-220-3
ECAD
A magazzino 19.974 piece(s)
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Specifiche TK100E10N1,S1X

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds8800pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220
Pacchetto / casoTO-220-3

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Packing
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TK100E10N1,S1X FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TK100E10N1,S1X is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the TK100E10N1,S1X price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
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MOSFET 100V N-Ch PWR FET 8800pF 140nC 207A

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N-Channel MOSFET, 207 A, 100 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK100E10N1,S1X(S, PK

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