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TK100E06N1,S1X

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Numero di parte TK100E06N1,S1X
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 60V 100A TO-220
Scheda dati
pacchetto TO-220-3
ECAD
A magazzino 7.656 piece(s)
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Specifiche TK100E06N1,S1X

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieU-MOSVIII-H
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds10500pF @ 30V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220
Pacchetto / casoTO-220-3

TK100E06N1,S1X Packaging

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Sealing
Packing
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TK100E06N1,S1X FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TK100E06N1,S1X is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TK100E06N1,S1X. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TK100E06N1,S1X on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TK100E06N1,S1X products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the TK100E06N1,S1X price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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MOSFET 60V N-Ch PWR FET 1.9mOhm 10V 10uA

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