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TJ30S06M3L(T6L1,NQ

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TJ30S06M3L(T6L1,NQ

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Numero di parte TJ30S06M3L(T6L1,NQ
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3
Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
A magazzino 3.296 piece(s)
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Specifiche TJ30S06M3L(T6L1,NQ

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieU-MOSVI
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3950pF @ 10V
Vgs (massimo)+10V, -20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs21.8 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreDPAK+
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TJ30S06M3L(T6L1,NQ Packaging

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Packing
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TJ30S06M3L(T6L1,NQ FAQ

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Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

RoHS: Compliant
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Container: Cut Tape
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MOSFET P-CH 60V 30A DPAK

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