Name: TH58NYG3S0HBAI6
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TH58NYG3S0HBAI6
Availability: InStock
Rating: 5 (152 reviews)

TH58NYG3S0HBAI6

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Numero di parte	TH58NYG3S0HBAI6
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	IC EEPROM 8GBIT 25NS 67VFBGA
Scheda dati
pacchetto	67-VFBGA
ECAD
A magazzino	7.536 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche TH58NYG3S0HBAI6

Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria	Circuiti integrati (CI) - Memoria
pacchetto	67-VFBGA
ECAD
Serie	-
Tipo di memoria	Non-Volatile
Formato di memoria	EEPROM
Tecnologia	EEPROM - NAND
Dimensione della memoria	8Gb (1G x 8)
Interfaccia di memoria	Parallel
Frequenza di clock	-
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	25ns
Tempo di accesso	25ns
Tensione - Fornitura	1.7 V ~ 1.95 V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	67-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore	67-VFBGA (6.5x8)

TH58NYG3S0HBAI6 Packaging

TH58NYG3S0HBAI6 FAQ

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3. Are the TH58NYG3S0HBAI6 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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Numero di parte

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TH58NYG3S0HBAI6

D# V36:1790_16023462

KIOXIA

NAND Flash Parallel 1.8V 8G-bit 1G x 8 67-Pin VFBGA

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

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TH58NYG3S0HBAI6

D# TH58NYG3S0HBAI6

KIOXIA

8G(4G x 2)bit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TH58NYG3S0HBAI6)

RoHS: Compliant

Numero di parte

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TH58NYG3S0HBAI6_TRAY

D# TH58NYG3S0HBAI6_TRAY

Toshiba America Electronic Components

NAND Flash Memory (Alt: TH58NYG3S0HBAI6_TRAY)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

TH58NYG3S0HBAI6

D# TH58NYG3S0HBAI6-ND

KIOXIA

IC FLASH 8GBIT PARALLEL 67VFBGA

256

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

TH58NYG3S0HBAI6

KIOXIA AMERICA, INC.

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

305

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

TH58NYG3S0HBAI6

D# 757-TH58NYG3S0HBAI6

Kioxia

NAND Flash 1.95V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

RoHS: Compliant

344

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