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TC58BYG0S3HBAI6

hot TC58BYG0S3HBAI6

TC58BYG0S3HBAI6

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Numero di parte TC58BYG0S3HBAI6
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA
Scheda dati
pacchetto 67-VFBGA
ECAD
A magazzino 49.404 piece(s)
Prezzo unitario $ 3,4505 *
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Specifiche TC58BYG0S3HBAI6

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaCircuiti integrati (CI) - Memoria
pacchetto67-VFBGA
ECAD
SerieBenand?
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato di memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM - NAND
Dimensione della memoria1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina25ns
Tempo di accesso25ns
Tensione - Fornitura1.7 V ~ 1.95 V
temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso67-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore67-VFBGA (6.5x8)

TC58BYG0S3HBAI6 Packaging

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Packing
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TC58BYG0S3HBAI6 FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that TC58BYG0S3HBAI6 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TC58BYG0S3HBAI6. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TC58BYG0S3HBAI6 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TC58BYG0S3HBAI6 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the TC58BYG0S3HBAI6 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of TC58BYG0S3HBAI6?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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NAND Flash Parallel 1.8V 1G-bit 128M x 8 67-Pin VFBGA

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1Gbit, generation: 24nm, ECC logic on the chip, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TC58BYG0S3HBAI6)

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