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TC58BVG1S3HBAI6

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TC58BVG1S3HBAI6

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte TC58BVG1S3HBAI6
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA
Scheda dati
pacchetto 67-VFBGA
ECAD
A magazzino 7.808 piece(s)
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Specifiche TC58BVG1S3HBAI6

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
CategoriaCircuiti integrati (CI) - Memoria
pacchetto67-VFBGA
ECAD
SerieBenand?
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato di memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM - NAND
Dimensione della memoria2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina25ns
Tempo di accesso25ns
Tensione - Fornitura2.7 V ~ 3.6 V
temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso67-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore67-VFBGA (6.5x8)

TC58BVG1S3HBAI6 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
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TC58BVG1S3HBAI6 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that TC58BVG1S3HBAI6 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the TC58BVG1S3HBAI6. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including TC58BVG1S3HBAI6 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of TC58BVG1S3HBAI6 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the TC58BVG1S3HBAI6 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of TC58BVG1S3HBAI6?
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    (1)Such as a deficiency in quantity, delivery of wrong items, and apparent external defects (breakage and rust, etc.), and we acknowledge such problems.
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

TC58BVG1S3HBAI6

D# V99:2348_18853679

KIOXIA

NAND Flash Parallel 3.3V 2G-bit 256M x 8 67-Pin VFBGA

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

TC58BVG1S3HBAI6

D# TC58BVG1S3HBAI6

KIOXIA

2Gbit, generation: 24nm, ECC logic on the chip, VCC=2.7 to 3.6V - Trays (Alt: TC58BVG1S3HBAI6)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

TC58BVG1S3HBAI6

D# TC58BVG1S3HBAI6

KIOXIA

2Gbit, generation: 24nm, ECC logic on the chip, VCC=2.7 to 3.6V (Alt: TC58BVG1S3HBAI6)

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

TC58BVG1S3HBAI6_TRAY

D# TC58BVG1S3HBAI6_TRAY

Toshiba America Electronic Components

NAND Flash Memory (Alt: TC58BVG1S3HBAI6_TRAY)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

TC58BVG1S3HBAI6

D# TC58BVG1S3HBAI6-ND

KIOXIA

IC FLASH 2GBIT PARALLEL 67VFBGA

338
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

TC58BVG1S3HBAI6

THSHIBA

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

14280
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

TC58BVG1S3HBAI6

Toshiba America Electronic Components

OEM/CM ONLY

56

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