Name: SUP85N03-3M6P-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUP85N03-3M6P-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (165 reviews)

SUP85N03-3M6P-GE3

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Numero di parte	SUP85N03-3M6P-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
Scheda dati	SUP85N03-3M6P-GE3 Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
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Specifiche SUP85N03-3M6P-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	85A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3535pF @ 15V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.1W (Ta), 78.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6 mOhm @ 22A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica SUP85N03-3M6P-GE3

SUP85N03-3M6P-GE3 Packaging

SUP85N03-3M6P-GE3 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

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Vishay Siliconix

MOSFET,N CHANNEL,W DIODE,30V,85A,TO220AB, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:85A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.003ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1V, MSL:- , RoHS Compliant: Yes

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D# 37T8305

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MOSFET,N CHANNEL,W DIODE,30V,85A,TO220AB, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:85A, On Resistance Rds(on):0.003ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

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