Name: SUP60N06-12P-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUP60N06-12P-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (108 reviews)

SUP60N06-12P-E3

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Numero di parte	SUP60N06-12P-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Scheda dati	SUP60N06-12P-E3 Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
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Specifiche SUP60N06-12P-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1970pF @ 30V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.25W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica SUP60N06-12P-E3

SUP60N06-12P-E3 Packaging

SUP60N06-12P-E3 FAQ

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3. Are the SUP60N06-12P-E3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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MOSFET, N CHANNEL, 60V, 60A, TO-220AB-3, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:60A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.0098ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.5V, MSL:- , RoHS Compliant: Yes

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D# SUP60N06-12P-E3-ND

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D# 09X6457

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MOSFET, N CHANNEL, 60V, 60A, TO-220AB-3, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, Continuous Drain Current Id:60A, On Resistance Rds(on):0.0098ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

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