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SUP40P10-43-GE3

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Numero di parte SUP40P10-43-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB
Scheda dati

SUP40P10-43-GE3 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche SUP40P10-43-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C36A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs160nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4600pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs43 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica SUP40P10-43-GE3

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SUP40P10-43-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SUP40P10-43-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SUP40P10-43-GE3?
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    (1)Inform us within 90 days
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