Name: SUP25P10-138-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUP25P10-138-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (138 reviews)

SUP25P10-138-GE3

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Numero di parte	SUP25P10-138-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 16.3A TO220AB
Scheda dati	SUP25P10-138-GE3 Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
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Specifiche SUP25P10-138-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	16.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2100pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.1W (Ta), 73.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.8 mOhm @ 6A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica SUP25P10-138-GE3

SUP25P10-138-GE3 Packaging

SUP25P10-138-GE3 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SUP25P10-138-GE3

D# SUP25P10-138-GE3-ND

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MOSFET N-CH 100V 16.3A TO220AB

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SUP25P10-138-GE3

D# 2400412

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MOSFET, P CH, -100V, -16.3A, TO-220AB-3

RoHS: Compliant

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