Name: SUD50N10-18P-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD50N10-18P-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (84 reviews)

SUD50N10-18P-GE3

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Numero di parte	SUD50N10-18P-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 8.2A DPAK
Scheda dati	SUD50N10-18P-GE3 Scheda dati
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche SUD50N10-18P-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8.2A (Ta), 50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	75nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3W (Ta), 136.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18.5 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252, (D-Pak)
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica SUD50N10-18P-GE3

SUD50N10-18P-GE3 Packaging

SUD50N10-18P-GE3 FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SUD50N10-18P-GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SUD50N10-18P-GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SUD50N10-18P-GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as SUD50N10-18P-GE3 pin diagram, SUD50N10-18P-GE3 datasheet?

If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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