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SUD50N06-08H-E3

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Per Riferimento Soltanto

Numero di parte SUD50N06-08H-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 60V 93A TO252
Scheda dati

SUD50N06-08H-E3 Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche SUD50N06-08H-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C93A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs145nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7000pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.8 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252, (D-Pak)
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica SUD50N06-08H-E3

SUD50N06-08H-E3 Packaging

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Packing
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SUD50N06-08H-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SUD50N06-08H-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SUD50N06-08H-E3

D# 70026021

Vishay Siliconix

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 60V,RDS(ON) 0.0065Ohm,ID 93A,TO-252,PD 136W,VGS +/-20V

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SUD50N06-08H-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 93A TO252

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SUD50N06-08H-E3

D# SUD50N06-08H-E3-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 93A TO252

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SUD50N0608HE3

VISHAY SILICONIX

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

1800
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# NS-SUD50N06-08H-E3

Vishay Siliconix

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