Name: SUD50N03-09P-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD50N03-09P-GE3
Availability: InStock
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SUD50N03-09P-GE3

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Numero di parte	SUD50N03-09P-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 63A TO252
Scheda dati	SUD50N03-09P-GE3 Scheda dati
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche SUD50N03-09P-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	63A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	7.5W (Ta), 65.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252, (D-Pak)
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica SUD50N03-09P-GE3

SUD50N03-09P-GE3 Packaging

SUD50N03-09P-GE3 FAQ

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as SUD50N03-09P-GE3 pin diagram, SUD50N03-09P-GE3 datasheet?

If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

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D# SUD50N03-09P-GE3-ND

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VBsemi Electronics Co Ltd

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