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SUD50N02-09P-GE3

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Per Riferimento Soltanto

Numero di parte SUD50N02-09P-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 20V 20A TO252
Scheda dati

SUD50N02-09P-GE3 Scheda dati

pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche SUD50N02-09P-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C20A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1300pF @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)39.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs14 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica SUD50N02-09P-GE3

SUD50N02-09P-GE3 Packaging

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Packing
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SUD50N02-09P-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SUD50N02-09P-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SUD50N02-09P-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SUD50N02-09P-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SUD50N02-09P-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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  • 6. What is the process for return or replacement of SUD50N02-09P-GE3?
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- Rail/Tube

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Vishay Intertechnologies

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D# SUD50N02-09P-GE3-ND

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MOSFET N-CH 20V 20A TO252

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D# 2454815

Vishay Intertechnologies

MOSFET, N-CH, 20V, 20A, TO-252-3

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
0
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