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SUD35N10-26P-T4GE3

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SUD35N10-26P-T4GE3

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Numero di parte SUD35N10-26P-T4GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Scheda dati

SUD35N10-26P-T4GE3 Scheda dati
pacchetto TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
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Specifiche SUD35N10-26P-T4GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)7V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs47nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2000pF @ 12V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)8.3W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs26 mOhm @ 12A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-252, (D-Pak)
Pacchetto / casoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Scheda tecnica SUD35N10-26P-T4GE3

SUD35N10-26P-T4GE3 Packaging

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Packing
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SUD35N10-26P-T4GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SUD35N10-26P-T4GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SUD35N10-26P-T4GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SUD35N10-26P-T4GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SUD35N10-26P-T4GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SUD35N10-26P-T4GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SUD35N10-26P-T4GE3?
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