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STW70N60M2-4

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Numero di parte STW70N60M2-4
Produttore STMicroelectronics
Descrizione POWER MOSFET
Scheda dati

STW70N60M2-4 Scheda dati

pacchetto -
ECAD
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Specifiche STW70N60M2-4

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
SerieMDmesh? M2
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C68A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs118nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5200pF @ 100V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)450W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs40 mOhm @ 34A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / caso-

Scheda tecnica STW70N60M2-4

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STW70N60M2-4 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STW70N60M2-4 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STW70N60M2-4. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STW70N60M2-4 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STW70N60M2-4 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STW70N60M2-4 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STW70N60M2-4?
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