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STW62N65M5

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Numero di parte STW62N65M5
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 650V TO-247
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STW62N65M5 Scheda dati

pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche STW62N65M5

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SerieMDmesh? V
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C46A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs142nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6420pF @ 100V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs49 mOhm @ 23A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica STW62N65M5

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STW62N65M5 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STW62N65M5 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STW62N65M5. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STW62N65M5 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STW62N65M5 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STW62N65M5 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STW62N65M5?
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STW62N65M5 Series 650 V 0.049 Ohm N-Channel MDmesh™ M5 Power MOSFET - TO-247

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MOSFET, N-CH, AEC-Q101, 650V, 46A, TO-247, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:650V, Continuous Drain Current Id:46A, On Resistance Rds(on):0.041ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

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