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STW58N65DM2AG

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Numero di parte STW58N65DM2AG
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 650V 48A
Scheda dati

STW58N65DM2AG Scheda dati
pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche STW58N65DM2AG

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101, MDmesh?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C48A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs88nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4100pF @ 100V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs65 mOhm @ 24A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica STW58N65DM2AG

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  • 2. How does Heisener guarantee that STW58N65DM2AG is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STW58N65DM2AG. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STW58N65DM2AG on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STW58N65DM2AG products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STW58N65DM2AG price and inventory displayed accurate?
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    (1)Inform us within 90 days
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Trans MOSFET N-CH 650V 48A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Trans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin TO-247 Tube (Alt: STW58N65DM2AG)

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MOSFET N-CH 650V 48A TO247

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 STMicroelectronics

N Channel 650 V 48 A 360 W 68 mOhm Surface Mount Power Mosfet - TO-247

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 STMicroelectronics

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