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STW30NM60ND

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Numero di parte STW30NM60ND
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
Scheda dati

STW30NM60ND Scheda dati

pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche STW30NM60ND

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SerieFDmesh? II
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C25A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2800pF @ 50V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs130 mOhm @ 12.5A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-3
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica STW30NM60ND

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STW30NM60ND FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STW30NM60ND is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the STW30NM60ND price and inventory displayed accurate?
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