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STW30NM60D

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Numero di parte STW30NM60D
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
Scheda dati

STW30NM60D Scheda dati

pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche STW30NM60D

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SerieMDmesh?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs115nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2520pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs145 mOhm @ 15A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-3
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica STW30NM60D

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Sealing
Packing
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STW30NM60D FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STW30NM60D is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STW30NM60D. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STW30NM60D on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STW30NM60D products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STW30NM60D price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STW30NM60D?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the STW30NM60D we delivered, we will accept the replacement or return of the STW30NM60D only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (1)Inform us within 90 days
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