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STW28N60M2

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Numero di parte STW28N60M2
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 24A TO-247
Scheda dati

STW28N60M2 Scheda dati

pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche STW28N60M2

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SerieMDmesh? II Plus
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C24A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1370pF @ 100V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs150 mOhm @ 12A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica STW28N60M2

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STW28N60M2 FAQ

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  • 6. What is the process for return or replacement of STW28N60M2?
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Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin TO-247 Tube - Bulk (Alt: 45AC7784)

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600
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N-Channel 600V 24A(Tc) 4V @ 250uA 150mohms @ 12A,10V 170W(Tc) TO-247 MOSFET RoHS

6
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MOSFET N-CH 600V 24A TO247

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MOSFET, N-CH, 600V, 22A, TO-247

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MOSFET N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

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TO-247/N-channel 600 V, 0.135 O typ., 22 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSF

780
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MOSFET, N-CH, 600V, 22A, TO-247, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:600V, Continuous Drain Current Id:22A, On Resistance Rds(on):0.135ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
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N-Channel MOSFET, 22 A, 650 V, 3-Pin TO-247 STMicroelectronics STW28N60M2, TU

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