Name: STW21NM50N
Brand: STMicroelectronics
SKU: STW21NM50N
Availability: InStock
Rating: 5 (153 reviews)

STW21NM50N

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Numero di parte	STW21NM50N
Produttore	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 18A TO-247
Scheda dati	STW21NM50N Scheda dati
pacchetto	TO-247-3
ECAD
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Specifiche STW21NM50N

Produttore	STMicroelectronics
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-247-3
ECAD
Serie	MDmesh? II
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	18A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1950pF @ 25V
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 9A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247-3
Pacchetto / caso	TO-247-3

Scheda tecnica STW21NM50N

STW21NM50N Packaging

STW21NM50N FAQ

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2. How does Heisener guarantee that STW21NM50N is from the original manufacturer or authorized agents?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the STW21NM50N we delivered, we will accept the replacement or return of the STW21NM50N only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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STMicroelectronics

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 500V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

RoHS: Compliant

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D# 497-4806-5-ND

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MOSFET N-CH 500V 18A TO247-3

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VBsemi Electronics Co Ltd

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 18A I(D), 500V, 0.19OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-247

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