Name: STW20NM65N
Brand: STMicroelectronics
SKU: STW20NM65N
Availability: InStock
Rating: 5 (184 reviews)

STW20NM65N

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Numero di parte	STW20NM65N
Produttore	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 19A TO-247
Scheda dati	STW20NM65N Scheda dati
pacchetto	TO-247-3
ECAD
A magazzino	5.696 piece(s)
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Specifiche STW20NM65N

Produttore	STMicroelectronics
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-247-3
ECAD
Serie	MDmesh? II
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2500pF @ 50V
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 9.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247-3
Pacchetto / caso	TO-247-3

Scheda tecnica STW20NM65N

STW20NM65N Packaging

STW20NM65N FAQ

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2. How does Heisener guarantee that STW20NM65N is from the original manufacturer or authorized agents?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the STW20NM65N we delivered, we will accept the replacement or return of the STW20NM65N only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of STW20NM65N.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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