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STW20NM65N

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Numero di parte STW20NM65N
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 650V 19A TO-247
Scheda dati

STW20NM65N Scheda dati

pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche STW20NM65N

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SerieMDmesh? II
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2500pF @ 50V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs190 mOhm @ 9.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-3
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica STW20NM65N

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Packing
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STW20NM65N FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STW20NM65N is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STW20NM65N. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STW20NM65N on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STW20NM65N products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STW20NM65N price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STW20NM65N?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the STW20NM65N we delivered, we will accept the replacement or return of the STW20NM65N only when all of the below conditions are fulfilled:
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