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STW19NM65N

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Numero di parte STW19NM65N
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-247
Scheda dati

STW19NM65N Scheda dati

pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche STW19NM65N

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SerieMDmesh? II
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C15.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1900pF @ 50V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs270 mOhm @ 7.75A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-3
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica STW19NM65N

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Sealing
Packing
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STW19NM65N FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STW19NM65N is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STW19NM65N. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STW19NM65N on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STW19NM65N products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STW19NM65N price and inventory displayed accurate?
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