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STW16N65M5

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Numero di parte STW16N65M5
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
Scheda dati

STW16N65M5 Scheda dati

pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche STW16N65M5

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SerieMDmesh? V
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1250pF @ 100V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs279 mOhm @ 6A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-3
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica STW16N65M5

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STW16N65M5 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STW16N65M5 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the STW16N65M5 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STW16N65M5?
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