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STW11NB80

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Numero di parte STW11NB80
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Scheda dati

STW11NB80 Scheda dati
pacchetto TO-247-3
ECAD
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Specifiche STW11NB80

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-247-3
ECAD
SeriePowerMESH?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2900pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs800 mOhm @ 5.5A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-3
Pacchetto / casoTO-247-3

Scheda tecnica STW11NB80

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STW11NB80 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STW11NB80 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STW11NB80. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STW11NB80 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STW11NB80 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STW11NB80 price and inventory displayed accurate?
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    If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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