Name: STS19N3LLH6
Brand: STMicroelectronics
SKU: STS19N3LLH6
Availability: InStock
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STS19N3LLH6

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Numero di parte	STS19N3LLH6
Produttore	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
Scheda dati	STS19N3LLH6 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche STS19N3LLH6

Produttore	STMicroelectronics
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	DeepGATE?, STripFET? VI
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1690pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.6 mOhm @ 9.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica STS19N3LLH6

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STS19N3LLH6 FAQ

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