Name: STP24NM65N
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP24NM65N
Availability: InStock
Rating: 5 (152 reviews)

STP24NM65N

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Numero di parte	STP24NM65N
Produttore	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 19A TO-220
Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
A magazzino	15.348 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
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Specifiche STP24NM65N

Produttore	STMicroelectronics
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	MDmesh? II
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2500pF @ 50V
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 9.5A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

STP24NM65N Packaging

STP24NM65N FAQ

1. How to order STP24NM65N on Heisener?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the STP24NM65N we delivered, we will accept the replacement or return of the STP24NM65N only when all of the below conditions are fulfilled:

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334

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D# 497-7026-5-ND

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MOSFET N-CH 650V 19A TO220AB

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VBsemi Electronics Co Ltd

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2010

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