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STP210N75F6

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Numero di parte STP210N75F6
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
Scheda dati

STP210N75F6 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche STP210N75F6

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieDeepGATE?, STripFET? VI
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs171nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds11800pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7 mOhm @ 60A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica STP210N75F6

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Packing
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STP210N75F6 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STP210N75F6 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STP210N75F6. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STP210N75F6 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STP210N75F6 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STP210N75F6 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STP210N75F6?
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MOSFET, N CH, 75V, 120A, TO 220AB

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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

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MOSFET N-CH 75V 120A TO220

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