Name: STP19NM65N
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP19NM65N
Availability: InStock
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STP19NM65N

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Numero di parte	STP19NM65N
Produttore	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-220
Scheda dati	STP19NM65N Scheda dati
pacchetto	TO-220-3
ECAD
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Specifiche STP19NM65N

Produttore	STMicroelectronics
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-220-3
ECAD
Serie	MDmesh? II
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	15.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 50V
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 7.75A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3

Scheda tecnica STP19NM65N

STP19NM65N Packaging

STP19NM65N FAQ

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the STP19NM65N we delivered, we will accept the replacement or return of the STP19NM65N only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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