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STP12N120K5

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Numero di parte STP12N120K5
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
Scheda dati

STP12N120K5 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche STP12N120K5

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieMDmesh? K5
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1370pF @ 100V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs690 mOhm @ 6A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica STP12N120K5

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Packing
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STP12N120K5 FAQ

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  • 3. Are the STP12N120K5 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STP12N120K5?
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Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube (Alt: STP12N120K5)

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50
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MOSFET N-CH 1200V 12A TO220

314
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MOSFET, N-CH, 1.2KV, 12A, TO-220AB

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1113
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Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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MOSFET, N-CH, 1.2KV, 12A, TO-220AB, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:1.2kV, Continuous Drain Current Id:12A, On Resistance Rds(on):0.62ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

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