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STP100N6F7

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Numero di parte STP100N6F7
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 60V 100A F7 TO220AB
Scheda dati

STP100N6F7 Scheda dati

pacchetto TO-220-3
ECAD
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Specifiche STP100N6F7

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3
ECAD
SerieSTripFET? F7
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1980pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.6 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220
Pacchetto / casoTO-220-3

Scheda tecnica STP100N6F7

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Sealing
Packing
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STP100N6F7 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STP100N6F7 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the STP100N6F7 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STP100N6F7?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

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38
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N-Channel 60V 100A(Tc) 4V @ 250uA 5.6mohms @ 50A,10V 125W(Tc) TO-220(TO-220-3) MOSFET RoHS

49
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MOSFET N-CH 60V 100A TO220

2027
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MOSFET, N-CH, 60V, 100A, TO-220AB

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N-Channel 60 V 100 A 5.6 mOhm Flange Mount STripFET™ F7 Power Mosfet - TO-220

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652120
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MOSFET LGS LV MOSFET

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N-Channel 60 V 100 A 5.6 mOhm Flange Mount STripFET F7 Power Mosfet - TO-220

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MOSFET, N-CH, 60V, 100A, TO-220, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, Continuous Drain Current Id:100A, On Resistance Rds(on):0.0047ohm, Transistor Mounting:Through Hole, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

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N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP100N6F7, TU

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