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STL8N65M2

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Numero di parte STL8N65M2
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche STL8N65M2

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / caso-

STL8N65M2 Packaging

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Sealing
Packing
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STL8N65M2 FAQ

  • 1. How to order STL8N65M2 on Heisener?
    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that STL8N65M2 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STL8N65M2. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STL8N65M2 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STL8N65M2 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STL8N65M2 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STL8N65M2?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
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Trans MOSFET N-CH 650V 4A 8-Pin Power Flat EP T/R

RoHS: Compliant
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N-channel MDmesh >350 V to 700 V - Tape and Reel (Alt: STL8N65M2)

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N-channel MDmesh >350 V to 700 V (Alt: STL8N65M2)

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Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 650V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant
0
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MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV

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RoHS: Compliant
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STMicroelectronics

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