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STL17N3LLH6

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Numero di parte STL17N3LLH6
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
Scheda dati

STL17N3LLH6 Scheda dati

pacchetto 8-PowerVDFN
ECAD
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Specifiche STL17N3LLH6

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-PowerVDFN
ECAD
SerieDeepGATE?, STripFET? VI
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C17A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1690pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5 mOhm @ 8.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerFlat? (3.3x3.3)
Pacchetto / caso8-PowerVDFN

Scheda tecnica STL17N3LLH6

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STL17N3LLH6 FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STL17N3LLH6. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STL17N3LLH6 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STL17N3LLH6 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
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MOSFET, N CH, 30V, 17A, POWERFLAT, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:17A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.0038ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1V, Power , RoHS Compliant: Yes

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D# 497-10880-2-ND

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