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STL117N4LF7AG

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Numero di parte STL117N4LF7AG
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 40V 119A POWERFLAT
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche STL117N4LF7AG

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
SerieSTripFET™ F7
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C119A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27.6 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1780 pF @ 25 V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 13A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitorePowerFlat™ (5x6)
Pacchetto / caso8-PowerVDFN

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Packing
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of STL117N4LF7AG.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
    Two processes to return the products:
    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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