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STH315N10F7-2

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Numero di parte STH315N10F7-2
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Scheda dati

STH315N10F7-2 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant
ECAD
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Specifiche STH315N10F7-2

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant
ECAD
SerieDeepGATE?, STripFET? VII
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs180nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds12800pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.3 mOhm @ 60A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreH2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant

Scheda tecnica STH315N10F7-2

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Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin H2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: STH315N10F7-2)

RoHS: Compliant
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Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin H2PAK T/R (Alt: STH315N10F7-2)

0
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D# C1S730200906207

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Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
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816
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MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2

1000
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294
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STH315N10F7 Series 100 V 180 A 2.3 mOhm N-Ch STripFET™ F7 Power Mosfet - H PAK-2

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0
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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

2380
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194
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MOSFET LGS LV MOSFET

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STMicroelectronics

16/32-BITS MICROS

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STH315N10F7-2

D# TMOS1704

STMicroelectronics

N-CH 100V 180A 2.3mOhm H2PAK-2

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0
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