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STH275N8F7-6AG

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Numero di parte STH275N8F7-6AG
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
Scheda dati

STH275N8F7-6AG Scheda dati

pacchetto TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
ECAD
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Specifiche STH275N8F7-6AG

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
ECAD
SerieAutomotive, AEC-Q101, STripFET? F7
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs193nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds13600pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.1 mOhm @ 90A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreH2PAK-6
Pacchetto / casoTO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)

Scheda tecnica STH275N8F7-6AG

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Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R

0
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Trans MOSFET N-CH 80V 180A 6-Pin H2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: STH275N8F7-6AG)

RoHS: Compliant
0
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Trans MOSFET N-CH 80V 180A 6-Pin H2PAK T/R (Alt: STH275N8F7-6AG)

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Min Qty: 1
820
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MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6

1483
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STH275N8F7-6AG

D# 3132746

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MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 80V, 180A

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
1000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

241102
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MOSFET LGS LV MOSFET

RoHS: Compliant
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D# XSKDRABV0054933

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Container: TAPE & REEL - FULL
1000
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OEM/CM ONLY

249016
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Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) H2PAK T/R

0
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D# 3132746

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MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 80V, 180A

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