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STH180N4F6-2

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Numero di parte STH180N4F6-2
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche STH180N4F6-2

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieSTripFET? F6
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7735pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4 mOhm @ 60A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreH2Pak-2
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Packing
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STH180N4F6-2 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STH180N4F6-2 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the STH180N4F6-2 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STH180N4F6-2?
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