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STH180N10F3-6

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Numero di parte STH180N10F3-6
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK
Scheda dati

STH180N10F3-6 Scheda dati

pacchetto TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
ECAD
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Specifiche STH180N10F3-6

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
ECAD
SerieSTripFET? III
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs114.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6665pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)315W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5 mOhm @ 60A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreH2PAK
Pacchetto / casoTO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)

Scheda tecnica STH180N10F3-6

STH180N10F3-6 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that STH180N10F3-6 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the STH180N10F3-6 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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MOSFET, N CH, 100V, 180A, H2PAK

352
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MOSFET, N CH, 100V, 180A, H2PAK

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