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STH150N10F7-2

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STH150N10F7-2

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Numero di parte STH150N10F7-2
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 100V 90A H2PAK-2
Scheda dati

STH150N10F7-2 Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant
ECAD
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Specifiche STH150N10F7-2

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant
ECAD
SerieDeepGATE?, STripFET? VII
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C110A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs117nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds8115pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.9 mOhm @ 55A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreH2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant

Scheda tecnica STH150N10F7-2

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  • 2. How does Heisener guarantee that STH150N10F7-2 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STH150N10F7-2?
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Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R

 0
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Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin H2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: STH150N10F7-2)

RoHS: Compliant
 0
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Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin H2PAK T/R (Alt: STH150N10F7-2)

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D# 497-14979-1-ND

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MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2

 707
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 3784
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N-Channel 100 V 0.0039 Ohm Surface Mount STripFET™ F7 Power Mosfet-H2PAK

RoHS: Compliant
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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 1809
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MOSFET LGS LV MOSFET

RoHS: Compliant
 979
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STH150N10F7-2

D# XSKDRABV0064456

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9520
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STH150N10F7-2

D# 79X6452

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16/32-BITS MICROS

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 1000
Container: TAPE & REEL - FULL
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D# STH150N10F7-2

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Semiconductor

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D# 8607523P

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N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin H2PAK STMicroelectronics STH150N10F7-2, RL

Min Qty: 2
Container: Reel
 232
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