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STFI18N65M2

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Numero di parte STFI18N65M2
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche STFI18N65M2

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie*
Tipo FET-
Tecnologia-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)-
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / caso-

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Sealing
Packing
Insepction

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STFI18N65M2. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STFI18N65M2 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STFI18N65M2 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STFI18N65M2 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STFI18N65M2?
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MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP

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