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STFI11NM65N

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Numero di parte STFI11NM65N
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP
Scheda dati

STFI11NM65N Scheda dati

pacchetto TO-262-3 Full Pack, I2Pak
ECAD
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Specifiche STFI11NM65N

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-262-3 Full Pack, I2Pak
ECAD
SerieMDmesh? II
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds800pF @ 50V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs455 mOhm @ 5.5A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreI2PAKFP (TO-281)
Pacchetto / casoTO-262-3 Full Pack, I2Pak

Scheda tecnica STFI11NM65N

STFI11NM65N Packaging

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Packing
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STFI11NM65N FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STFI11NM65N is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STFI11NM65N. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STFI11NM65N on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STFI11NM65N products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STFI11NM65N price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STFI11NM65N?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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