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STF33N60DM6

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Numero di parte STF33N60DM6
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
A magazzino 1.815 piece(s)
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Specifiche STF33N60DM6

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
SerieMDmesh™ M6
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C25A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 100 V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs128mOhm @ 12.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220FP
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack

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Sealing
Packing
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STF33N60DM6 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STF33N60DM6 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the STF33N60DM6 price and inventory displayed accurate?
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    (2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of STF33N60DM6.
    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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