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STF11N52K3

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Numero di parte STF11N52K3
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 525V 10A TO-220FP
Scheda dati

STF11N52K3 Scheda dati

pacchetto TO-220-3 Full Pack
ECAD
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Specifiche STF11N52K3

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-220-3 Full Pack
ECAD
SerieSuperMESH3?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)525V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 50V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs510 mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220FP
Pacchetto / casoTO-220-3 Full Pack

Scheda tecnica STF11N52K3

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Packing
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STF11N52K3 FAQ

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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STF11N52K3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STF11N52K3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STF11N52K3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STF11N52K3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STF11N52K3?
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525V,0.41,10A,N-channel Power MOSFET

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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 525V, 0.51ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

RoHS: Compliant
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D# 497-11864-5-ND

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