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STB50NE10T4

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Numero di parte STB50NE10T4
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
Scheda dati

STB50NE10T4 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche STB50NE10T4

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieSTripFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C50A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs166nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6000pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs27 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica STB50NE10T4

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Packing
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    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STB50NE10T4. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STB50NE10T4 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STB50NE10T4 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STB50NE10T4 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STB50NE10T4?
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