Name: STB30N65M2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB30N65M2AG
Availability: InStock
Rating: 5 (107 reviews)

STB30N65M2AG

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Numero di parte	STB30N65M2AG
Produttore	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Scheda dati
pacchetto	-
ECAD
A magazzino	747 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
Tempi di Consegna	Essere confermato
Tempo di consegna stimato	nov 12 - nov 17 (Scegli una spedizione rapida)
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Specifiche STB30N65M2AG

Produttore	STMicroelectronics
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	-
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30.8 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1440 pF @ 100 V
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB30N65M2AG Packaging

STB30N65M2AG FAQ

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of STB30N65M2AG.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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