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STB23NM60ND

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Numero di parte STB23NM60ND
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK
Scheda dati
pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche STB23NM60ND

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieFDmesh? II
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C19.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2050pF @ 50V
Vgs (massimo)±25V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs180 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

STB23NM60ND Packaging

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Packing
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STB23NM60ND FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STB23NM60ND is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STB23NM60ND. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STB23NM60ND on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STB23NM60ND products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STB23NM60ND price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STB23NM60ND?
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    (1)Inform us within 90 days
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Trans MOSFET N-CH 600V 19.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: STB23NM60ND)

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N-Channel MOSFET, 19.5 A, 600 V, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB23NM60ND, RL

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MOSFET, N CH, 600V, 20A, D2PAK

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