Name: STB19NM65N
Brand: STMicroelectronics
SKU: STB19NM65N
Availability: InStock
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STB19NM65N

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Numero di parte	STB19NM65N
Produttore	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
Scheda dati	STB19NM65N Scheda dati
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche STB19NM65N

Produttore	STMicroelectronics
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
Serie	MDmesh? II
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	15.5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 50V
Vgs (massimo)	±25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 7.75A, 10V
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica STB19NM65N

STB19NM65N Packaging

STB19NM65N FAQ

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2. How does Heisener guarantee that STB19NM65N is from the original manufacturer or authorized agents?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the STB19NM65N we delivered, we will accept the replacement or return of the STB19NM65N only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of STB19NM65N.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as STB19NM65N pin diagram, STB19NM65N datasheet?

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