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STB11NM60T4

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STB11NM60T4

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Numero di parte STB11NM60T4
Produttore STMicroelectronics
Descrizione MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
Scheda dati

STB11NM60T4 Scheda dati

pacchetto TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
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Specifiche STB11NM60T4

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ECAD
SerieMDmesh?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C11A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1000pF @ 25V
Vgs (massimo)±30V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs450 mOhm @ 5.5A, 10V
temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / casoTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Scheda tecnica STB11NM60T4

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Sealing
Packing
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STB11NM60T4 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that STB11NM60T4 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the STB11NM60T4. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including STB11NM60T4 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of STB11NM60T4 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the STB11NM60T4 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of STB11NM60T4?
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    (3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.
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Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp

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D2PAK AL BONDI/100063P10

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Power MOSFET, N Channel, 5.5 A, 650 V, 400 mohm, 10 V, 4 V

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 11A I(D), 600V, 0.45OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB

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